早在1879年，物現學家E. H. Hall就發現把通有電流的金屬薄片置于垂直于它的 磁場中，在金屬薄片的兩側面之間會產生一個電位差——霍爾電勢。這種現象被后人稱之為“霍爾效應”。由于在導體中“霍爾效應”很微弱，所以一直不為人們所重視。直到本世紀四十 年代后期，半導體技術的不斷發展，才發現霍爾效應在高純度半導體中極為顯著。由此人們 對霍爾效應的研究和應用逐步重視起來。并將霍爾效應用于傳感器技術中。 

接觸式霍爾位移傳感器

工作原理   取—塊半導體長為l、b、厚度d的半導體置于場強度為B的外磁場 中，當有電流I流過時，則半導體中的電子將受到垂直于B和l方向的洛倫茲力F的作 用。如圖1.12.1所示，電子在F的作用下被椎向半導體的一側，并在該側面上形成電子 積累,在另一側形成正電荷積積累，從而在半導體兩側面之間 形成靜電場E。此電場產生阻止電子繼續向該側面移動的 電場力F。當電子所受的電 場力F與洛倫茲力大小 相等時，則電子積累達到動態 平衡。這時，在半導體兩側面 之間建立起的電場E所對應的電勢就稱之為“霍爾電勢”。